Анашкин Евгений Александрович

(родился 25.02.1982, г. Сердобск, ПО)

Начальник участка Российского федерального ядерного центра Всероссийского НИИ технической физики им. академика Е.И. Забабахина, Лауреат премии Правительства Российской Федерации. Выдающийся  выпускник Пензенского государственного университета.

В  1999  поступил на факультет радиоэлектроники Пензенского государственного университета, в 2002. Перевелся на естественно-научный факультет, который окончил в  2004 по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».

С августа 2004 г. - начальник участка Российского федерального ядерного центра Всероссийского НИИ технической физики им. академика Е.И. Забабахина, начальник лаборатории производства лазерных устройств.

Лауреат премии Правительства РФ для молодых ученых (2008) за разработку и внедрение микроэлектронных приборов специального назначения.